Strossmayerov trg 4, HR - 10000 ZAGREB
tel.: (01) 459 44 44, faks: (01) 459 44 69
E-mail: ured@znanost.hr
SVIBOR - Prikupljanje podataka o projektima u RH
Šifra projekta: 1-03-180
NOVI POLUVODIČKI SPOJEVI I TANKI FILMOVI
Glavni istraživač
: ETLINGER, BOŽIDAR (11390) Suradnici
RADIĆ, NIKOLA (75345)
GRACIN, DAVOR (82826)
ANDREIĆ, ŽELJKO (96712)
URLI, NATKO (51155)
HENČ-BARTOLIĆ, VIŠNJA (15515)
DESNICA, UROŠ (9386)
ŠANTIĆ, BRANKO (32562)
PIVAC, BRANKO (67912)
TURKOVIĆ, ALEKSANDRA (82841)
DESNICA, DUNJA (9390)
DUBČEK, PAVO (61590)
CAR, TIHOMIR (174472)
Tip istraživanja: temeljno Trajanje od: 01.01.91. do 31.12.93. Ukupno radova na projektu: 93
Radovi na projektu citirani u Current Contents: 37
Naziv ustanove: Institut "Ruđer Bošković", Zagreb (98) Odjel/Zavod: Zavod za Istraživanje materijala i elektronika Adresa: Bijenička cesta 54 Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
Komunikacija
Telefon: 385 (0)1 456-11-37,
teleFaks: 385 (0)1 425-497
Telefon: 385 (0)1 424-785
E-mail: etlinger@olimp.irb.hr
Sažetak: Istraživanje strukturnih, električnih i optičkih svojstava: ternarnih poluvodičkih spojeva iz sastava Ga-In-Se, polikristaliničnog i amorfnog silicija, tankih filmova metalnihslitina prijelaznih metala te tankih slojeva interkalata posebnoTiO2. Korištenje vlastitih metoda za rast i dobivanje uzoraka te proučavanje utjecaja variranja sastava, podloge i temperaturnog napuštanja na uvjete rasta pojedinih tankih filmova. U istraživanju se koristi čitav niz eksperimentalnih tehnika (rendgen, Raman, IR spektroskopija, DLTS, TSC, XPS, AES) te numeričko modeliranje kao dopuna eksperimentalnim rezultatima.
Ciljevi istraživanja: Ciljevi ovog projekta su slijedeći:
-Istraživanje električnih, optičkih, strukturnih i drugih fizikalnih
svojstava ternarnih poluvodiča posebno spojeva iz sistema Ga-In-Se te
određivanje ovisnosti frekvencije optičkih aktivnih modova o sastavu
spojeva. -Rješavanje kinetike formiranja i razgradnje pojedinih
visokotemperaturnih defekata u različitim vrstama polikristaliničnog
silicija. -Bolje upoznavanje sa osobinama vakuumskog električnog luka,
izboja u magnetronu te stvaranje plazme metala putem lasera velike snage.
-Na osnovu poznavanja vakuumske tehnologije te izboja u vakuumu, izgraditi
magnetronski uređaj koji omogućuje dobivanje amorfnog silicija kao i
tankih filmova metalnih slitina između prrijelaznih metala s niskim i
visokim talištima. Posebno će se obratiti pažnja na strukturna svojstva,
dopiranje vodikom te rekristalizaciju amorfnog silicija kao i na
strukturna, mehanička i električna svojstva slitina prijelaznih metala s
volframom. -Ispitati fizikalna svojstva interkalarnih tankih slojeva te
utvrditi njihovu moguću upoterbu kao elektroda za neke tipove galvanskih
čelija. Ostali podaci o projektu.