Tip istraživanja: primjenjeno Trajanje od: 01.01.91. do 31.12.94. Ukupno radova na projektu: 33
Radovi na projektu citirani u Current Contents: 1
Naziv ustanove: Končar, Institut za elektrotehniku, Zagreb (8) Odjel/Zavod: Zavod za elektrostrojarstvo i automatizaciju Adresa: Unska 3 Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
Komunikacija
Telefon: 385 (01) 61 29 716
teleFaks: 385 (01) 61 29 705
Sažetak: Projekt uključuje: (1) približne metode proračuna strujne opteretivosti poluvodičkih komponenata (PK) pri zanemarivim sklopnim gubicima, (2) utjecaj temperaturne ovisnosti propusne karakteristike na strujnu opteretivost PK-ata u nazivnim režimima rada pri zanemarivim sklopnim gubicima, (3) mjerne metode nadomjesne temperature silicija (NTS) PK u nazivnim režimima rada, (4) metode proračuna strujne opteretivosti PK-ata u nazivnim režimima rada pri zanemarivim i nezanemarivin sklopnim gubicima i (5) proračun strujne opteretivosti PK-ata u kvarnim ražimima rada. Istraživanje uključuje bipolarne i unipolarne PK-e, tiristore, GTO-tranzistore, MOSFET-tranzistore, IGBT-tiristore i integrirane učinske PK-e.
Ključne riječi: poluvodičke učinske komponente, učinske diode, učinski tiristori, GTO-tiristori, MOSFET-tranzistori, IGBT-tranzistori, integrirane učinske komponente, gubici, prijelazna toplinska impedancija, mjerenje prijelazne toplinske impedancije, nadomjesna temperatura silicija, strujna opteretivost, udarna strujna opteretivost, proračun nadomjesne temperature silicija, numeričko modeliranje, metoda konačnih elemenata
Ciljevi istraživanja: Ciljevi projekta mogu se sažeti u četiri
točke: (1) proračun gubitaka u poluvodičkim komponentama (PK) polazeći od
njihovog matematičkog modela i od nadomjesne sheme električkog kruga u
kojem se nalaze, (2) proračun nadomjesne temperature silicija (NTS) ili
temperaturnog polja u silicijevoj pločici (3D) PK-ata polazeći od gubitaka
koji u njima nastaju i od njihovog toplinskog sustava, (3) proračun
temperaturnog polja sustava PK - rashladno tijelo, i (4) mjerenje NTS-a
PK-a u radnim uvjetima. Istraživanje uključuje bipolarne i unipolarne
PK-e, tiristore, GTO-tiristore, MOSFET-tranzistore, IGBT-tranzistore i
integrirane učinske PK-e. Očekivani rezultati: (1) postavljanje metoda
proračuna strujne opteretivosti PIN i PNPN poluvodičkih komponenata pri
zanemarivim sklopnim gubicima, (2) postavljanje kriterija uporabe
temperaturno neovisne propusne karakteristike za računanje gubitaka, (3)
izrada programskih paketa za aproksimiranje prijelazne funkcije toplinskog
sustava PK-e i toplinskog sustava PK - rashladno tijelo zbrojem
eksponencijalnih funkcija, (4) izrada programskih paketa za dobivanje
prijelazne funkcije PK-e iz prijelazne funkcije sustava PK - rashladno
tijelo, (5) postavljanje računalom vođene metode mjerenja nadomjesne
temperature silicija MOSFET-tranzistora, (6) ovladavanje komercijalnim
programskim paketima (PSPICE, ATOSEC, IDAS) za računanje gubitaka u
PK-tama, (7) ovladavanje komercijalnim programskim paketima za računanje
temperaturnih polja u nelinearnim sredinama, i (8) postavljanje metoda
proračuna udarne strujne preopteretivosti PIN i PNPN PK-ata.