SVIBOR - Radovi u CC - projekt broj: 2-07-266
MINISTARSTVO ZNANOSTI I TEHNOLOGIJE
Strossmayerov trg 4, HR - 10000 ZAGREB
tel.: (01) 459 44 44, faks: (01) 459 44 69
E-mail: ured@znanost.hr
SVIBOR - Prikupljanje podataka o projektima u RH
Radovi citirani u Current Contents na projektu 2-07-266
Broj radova citiranih u CC: 12
Broj ostalih radova: 112
Ukupno objavljenih radova: 124
Naslov: Piezoelektrički aktivni defekti i njihov utjecaj na
karakteristike GaAs MESFETova
- Autori:
McNally, Patrick J.
McCaffrey, J. Kilian
Barić, Adrijan (136444)
Časopis: Journal of Materials Processing Technology
ISSN: 0924-0136
Godina: 1995
Broj referenci: 12
Jezik: engleski
Sažetak: (Rad treba biti objavljen 1995)
U ovom radu raspravlja se o utjecaju rezidualnih strukturalnih defekata u
GaAs metal-poluvodič tranzsitoru s efektom polja (MESFET-u) na električko
djelovanje elementa, posebno na pomake napona pragauvjetovane
piezoelektrički aktivnim defektima.
Rezultati postignuti u ovoj analizi pokazuju, po prvi puta, da ćeprisustvo
piezoelektričkih defekata lociranih u ili blizuaktivnog kanala GaAs
MESFET-a utjecati na napon praga elementa upodručju blizu centra defekta.
Osim toga oni mogu vrlo lakorazjasniti prethodna eksperimentalna opažanja.
Kombiniranjem tiheksperimentalnih rezultata s našom novom analizom, postoji
sadajak dokaz koji sugerira da se piezoelektrička svojstva defekata
upodlozi GaAs ne mogu zanemariti u nijednoj tehnologiji srednjegili visokog
stupnja integracije.
Ključne riječi: defekti, piezoelektrički naboj, GaAs, MESFET
Naslov: Modeliranje utjecaja piezoelektrički aktivnih defekata i
njihov utjecaj na napon praga GaAs MESFETova
- Autori:
Barić, Adrijan (136444)
McNally, Patrick J.
McCaffrey, J. Kilian
Časopis: Materials Science and Engineering B
ISSN: 0921-5107
Volumen: B28
Godina: 1994
Stranice: od 248 do 252
Broj referenci: 13
Jezik: engleski
Sažetak: U ovom radu razmatraju se efekti rezidualnih strukturnih
defekata na napon praga MESFETova zbog piezoelektričnog naboja koji se
formira oko tih defekata. Ovaj rad predstavlja pojednostavljenu analizu
utjecaja piezoelektričnog karaktera defekata-dislokacija u GaAs podlozi i
posljedice na karakteristike poluvodičkih elemenata. Analizirana je
promjena napona praga zbog "edge", "screw" i "60 stupnjeva" tipova defekata
koristeći jednodimenzionalnu analizu. Ovi proračuni su u skladu s
eksperimentalnim podacima i po prvi put pokazuje se da je čak i utjecaj
točkastih defekata značajan.
Ključne riječi: defekti, piezoelektrički naboj, GaAs, MESFET
Naslov: Efekti pritiska pri narastanju Si/SiGe slojeva pomoću CVD
- Autori:
Matutinović-Krstelj, Željka (153702)
Chason, E.
Sturm, J.C.
Časopis: Journal of Electronic Materials
Broj: 6
ISSN: 0361-5235
Volumen: 24
Godina: 1995
Stranice: od 725 do 730
Broj referenci: 14
Jezik: engleski
Sažetak: Razmatraju se efekti pritiska pri narastanju SiGe/Si
heterostruktura pomoću RTCVD u području pritiska od 6 do 220 Torr.
Materijal je karakteriziran pomoću fotoluminiscencije (PL), refleksije
x-zraka (XRR) i električnog mjerenja dioda s rezonantnim tuneliranjem
(RTD). Materijal pokazuje visoku kvalitetu u cijelom području pritiska, ali
slabiji PL intenzitet pri većim pritiscima (220 Torr) ukazuje na niža
vremena života. Neravnost međuspoja se povećava pri višim pritiscima. To je
potvrđeno pomoću XRR mjerenja i karakteristikama RTD dioda. Pomoću XRR
utvrđena je i donja granica pritiska za dobivanje neravnosti međuspoja
između 0.2 i 0.5 nm.
Ključne riječi: SiGe, CVD
Informacije: svibor@znanost.hr
