SVIBOR - Projekt broj: 1-03-178

MINISTARSTVO ZNANOSTI I TEHNOLOGIJE

Strossmayerov trg 4, HR - 10000 ZAGREB
tel.: (01) 459 44 44, faks: (01) 459 44 69
E-mail: ured@znanost.hr

SVIBOR

SVIBOR - Prikupljanje podataka o projektima u RH

Šifra projekta: 1-03-178


ISTRAŽIVANJE DEFEKATA U POLUVODIČIMA


Glavni istraživač: DESNICA, UROŠ (9386)


Suradnici
Tip istraživanja: temeljno
Trajanje od: 01.01.91. do 31.12.93.
Ukupno radova na projektu: 113
Radovi na projektu citirani u Current Contents: 57
Naziv ustanove: Institut "Ruđer Bošković", Zagreb (98)
Odjel/Zavod: Istraživanje materijala i elektronika
Adresa: Bijenička 54
Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
Komunikacija
Telefon: 385 (0)1-4561-111
teleFaks: 385 (0)1-425-497
E-mail: Desnica@irb.hr
Sažetak: U projektu "Istraživanje defekata u poluvodičima" istraživani su mikroskopski defekti (atomi nečistoća ili primjesa, vlastiti defekti kristalne rešetke, kompleksi itd.) i njihov utjecaj na makroskopska svojstva poluvodiča. Ciljevi istraživanja su bili ispitivanje i razumijevanje osnovnih fizikalnih fenomena na nivou atoma, što omogućuje stjecanje kontrole nad defektima, a što je preduvjet za optimizaciju svojstava te "inžinjering" ovih važnih materijala. Posebno su istraženi te uspješno riješeni brojni problemi defekata u: a) siliciju: kisik, ugljik i metalne nečistoće , uključivo i dinamiku njihovih interakcija uslijed raznih tretmana (termički, zračenje itd), a u amorfnom siliciju i vodik; b) galij arsenidu: defekti s dubokim nivoima, te njihova uloga u efektima metastabilnosti, za koje smo pokazali da su odgovorni za niz ranije nerazjašnjenih svojstava opaženih na niskim temperaturama (promjene fotoosjetljivosti, perzistentne struje, tranzijentna fotovodljivost itd.) c) kadmij sulfidu: interakcija dopanata s defektima rešetke, s posljedičnom kompenzacijom električne aktivnosti. Specifične odlike projekta su korištenje velikog broja komplementarnih metoda za dobivanje što cjelovitije i potpunije slike problema, te razgranata međunarodna suradnja, koja nam je omogućila pristup najmodernijoj eksperimentalnoj opremi, te rezultirala sa zajedničkim publikacijama sa 17 inozemnih institucija. Realizacija projekta bila je izuzetno uspješna, tako da su dobiveni rezultati petogodišnjih istraživanja objavljeni u ukupno 100 publikacija, od čega 73 publikacije u međunarodnom tisku, od čega je čak 53 bilo u najkvalitetnijim međunarodnim časopisima, sekundarno referiranim u "Current Contents" (CC).

Ključne riječi: poluvodiči, defekti, nečistoće, dopanti, duboki nivoi, silicij, galij arsenid, kadmij sulfid, optičke metode, Raman spektroskopija, IR spektroskopija, mikro-FTIR

Ciljevi istraživanja: Istraživanje defekata bitan je dio znanosti o poluvodičima jer defekti (mnogo više nego sam osnovni materijal) određuju većinu najvažnijih svojstva poluvodiča. Upravo zato, tek dobro poznavanje defekata na atomskoj skali omogućuje kontrolu makroskopskih svojstava tih materijala, a onda i njihovu upotrebljivost i korisnost u modernim tehnologijama (elektronika, mikro- i opto-elektronika, informatika, telekomunikacije, automatizacija itd.). Cilj predloženog istraživanja bio je produbiti osnovna saznanja o najvažnijim defektima (primjesama, nečistoćama, vlastitim defektima kristalne rešetke) u poluvodičima, te dati doprinos rješavanju nekim od relevantnih problema konkretnih defekata u siliciju, galij arsenidu, i dr.. Cilj je bio istražiti i razumjeti: a) osnovna fizikalna svojstva pojedinog defekta na atomskom nivou, te - gdje je to moguće - odrediti i mikroskopsku strukturu defekta i njegove neposredne okoline; b) dinamička svojstva (interakcije među defektima i s atomima-domaćinima uslijed termičkih, optičkih ili drugih pobuđenja), te c) ulogu i utjecaj defekata na makroskopska svojstva materijala. Namjera je bila istražiti svojstava defekata u danas najvažnijim kao i u najperspektivnijim poluvodičima. U siliciju (monokristaliničnom, polikristaliničnom i amorfnom) su ispitivane najvažnije nečistoće (kisik, ugljik, vodik ..). U binarnim poluvodičkim spojevima, prvenstveno galij arsenidu, te galij fosfidu, kadmij sulfidu kao i u nekim ternarnim spojevima i oksidima studirani su prvenstveno vlastiti defekti kristalne rešetke. Namjera je također bila postići i održati nivo najviše kvalitete tih istraživanja, kako izborom najaktuelnijih problema tako i originalnošću rješavanja tih problema. Smatram da su ti ciljevi vrlo uspješno ostvareni: Uloga i svojstva niza najzanimljivijih defekata su objašnjeni, te su neki od najaktuelnijih problema defekata uspješno riješeni, ili je dan bitan znanstveni doprinos u njihovom razumijevanju. Visoka kvaliteta postignutih rezultata verificirana je objavljivanjem velikog broja radova u najkvalitetnijim svjetskim časopisima.

SURADNJA - PROJEKTI


  1. Naziv projekta: 1-03-066 Vibracijski fenomeni i interakcije u kondenziranoj materiji
    Naziv ustanove: Institut " Rudjer Bošković "
    Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska

  2. Naziv projekta: 1-03-180 Istraživanje tankih poluvodičkih filmova
    Naziv ustanove: Institut "Rudjer Bošković"
    Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska

SURADNJA - USTANOVE


  1. Naziv ustanove: Universita di Pavia
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Pavia, Italija

  2. Naziv ustanove: MEMS Electronic Materials
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Novara, Italija

  3. Naziv ustanove: CNR,
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Pavia, Italija

  4. Naziv ustanove: Universita di Modena
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Modena, Italija

  5. Naziv ustanove: Universita di Trento
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Trento, Italija

  6. Naziv ustanove: IRST
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Trento, Italija

  7. Naziv ustanove: Siemens Telecomunicazioni
    Tip ustanove: Državni institut
    Grad: Milano, Italija

  8. Naziv ustanove: Instituto MASCPEC_CNR
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Parma, Italija

  9. Naziv ustanove: Universite Louis Pasteur
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Strasbourg, Francuska

  10. Naziv ustanove: Universitat Konstanz
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Konstanz, Njemačka

  11. Naziv ustanove: Fraunhofer Institut
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Freiburg, Njemačka

  12. Naziv ustanove: Mobil Solar Energy Corp.
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Boston, USA

  13. Naziv ustanove: Oak Ridge National Laboratory
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Oak Ridge, USA

  14. Naziv ustanove: Cabot Corp.
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Billerica, MA, USA

  15. Naziv ustanove: University of Albany
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Albany, USA

  16. Naziv ustanove: ICTP
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Trst, Italija

  17. Naziv ustanove: CNRS
    Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet
    Grad: Strasbourg, Francuska

  18. Naziv ustanove: niversite Montpellier II
    Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna
    Grad: Montpellier, Francuska
Ostali podaci o projektu.
MZT Engleski jezik SVIBOR Abecedni popis Složeno po šifri projekta Složeno po ustanovi projekta Pretraga Pomoć
Ministarstvo znanosti
i tehnologije		 Engleski
jezik		 Svibor
početna stranica		 Abecedni
popis		 Složeno po
šifri projekta		 Složeno po
ustanovi projekta		 Pretraživanje Pomoć
Datum zadnje promjene: 02.10.95
Informacije: svibor@znanost.hr