Strossmayerov trg 4, HR - 10000 ZAGREB
tel.: (01) 459 44 44, faks: (01) 459 44 69
E-mail: ured@znanost.hr
SVIBOR - Prikupljanje podataka o projektima u RH
Šifra projekta: 1-03-178
ISTRAŽIVANJE DEFEKATA U POLUVODIČIMA
Glavni istraživač
: DESNICA, UROŠ (9386) Suradnici
DESNICA, DUNJA (9390)
ŠANTIĆ, BRANKO (32562)
PERŠIN, MIRJANA (36364)
TURKOVIĆ, ALEKSANDRA (82841)
ETLINGER, BOŽIDAR (11390)
RADIĆ, NIKOLA (75345)
GRACIN, DAVOR (82826)
PIVAC, BRANKO (67912)
KRANJČEC, MLADEN (23323)
ANDREIĆ, ŽELJKO (96712)
ČELUSTKA, BRANKO (7946)
PAVLOVIĆ, MLADEN (900271)
Tip istraživanja: temeljno Trajanje od: 01.01.91. do 31.12.93. Ukupno radova na projektu: 113
Radovi na projektu citirani u Current Contents: 57
Naziv ustanove: Institut "Ruđer Bošković", Zagreb (98) Odjel/Zavod: Istraživanje materijala i elektronika Adresa: Bijenička 54 Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
Komunikacija
Telefon: 385 (0)1-4561-111
teleFaks: 385 (0)1-425-497
E-mail: Desnica@irb.hr
Sažetak: U projektu "Istraživanje defekata u poluvodičima" istraživani su mikroskopski defekti (atomi nečistoća ili primjesa, vlastiti defekti kristalne rešetke, kompleksi itd.) i njihov utjecaj na makroskopska svojstva poluvodiča. Ciljevi istraživanja su bili ispitivanje i razumijevanje osnovnih fizikalnih fenomena na nivou atoma, što omogućuje stjecanje kontrole nad defektima, a što je preduvjet za optimizaciju svojstava te "inžinjering" ovih važnih materijala. Posebno su istraženi te uspješno riješeni brojni problemi defekata u: a) siliciju: kisik, ugljik i metalne nečistoće , uključivo i dinamiku njihovih interakcija uslijed raznih tretmana (termički, zračenje itd), a u amorfnom siliciju i vodik; b) galij arsenidu: defekti s dubokim nivoima, te njihova uloga u efektima metastabilnosti, za koje smo pokazali da su odgovorni za niz ranije nerazjašnjenih svojstava opaženih na niskim temperaturama (promjene fotoosjetljivosti, perzistentne struje, tranzijentna fotovodljivost itd.) c) kadmij sulfidu: interakcija dopanata s defektima rešetke, s posljedičnom kompenzacijom električne aktivnosti. Specifične odlike projekta su korištenje velikog broja komplementarnih metoda za dobivanje što cjelovitije i potpunije slike problema, te razgranata međunarodna suradnja, koja nam je omogućila pristup najmodernijoj eksperimentalnoj opremi, te rezultirala sa zajedničkim publikacijama sa 17 inozemnih institucija. Realizacija projekta bila je izuzetno uspješna, tako da su dobiveni rezultati petogodišnjih istraživanja objavljeni u ukupno 100 publikacija, od čega 73 publikacije u međunarodnom tisku, od čega je čak 53 bilo u najkvalitetnijim međunarodnim časopisima, sekundarno referiranim u "Current Contents" (CC).
Ciljevi istraživanja: Istraživanje defekata bitan je dio
znanosti o poluvodičima jer defekti (mnogo više nego sam osnovni
materijal) određuju većinu najvažnijih svojstva poluvodiča. Upravo zato,
tek dobro poznavanje defekata na atomskoj skali omogućuje kontrolu
makroskopskih svojstava tih materijala, a onda i njihovu upotrebljivost i
korisnost u modernim tehnologijama (elektronika, mikro- i
opto-elektronika, informatika, telekomunikacije, automatizacija itd.).
Cilj predloženog istraživanja bio je produbiti osnovna saznanja o
najvažnijim defektima (primjesama, nečistoćama, vlastitim defektima
kristalne rešetke) u poluvodičima, te dati doprinos rješavanju nekim od
relevantnih problema konkretnih defekata u siliciju, galij arsenidu, i
dr.. Cilj je bio istražiti i razumjeti: a) osnovna fizikalna svojstva
pojedinog defekta na atomskom nivou, te - gdje je to moguće - odrediti i
mikroskopsku strukturu defekta i njegove neposredne okoline; b) dinamička
svojstva (interakcije među defektima i s atomima-domaćinima uslijed
termičkih, optičkih ili drugih pobuđenja), te c) ulogu i utjecaj defekata
na makroskopska svojstva materijala. Namjera je bila istražiti svojstava
defekata u danas najvažnijim kao i u najperspektivnijim poluvodičima. U
siliciju (monokristaliničnom, polikristaliničnom i amorfnom) su ispitivane
najvažnije nečistoće (kisik, ugljik, vodik ..). U binarnim poluvodičkim
spojevima, prvenstveno galij arsenidu, te galij fosfidu, kadmij sulfidu
kao i u nekim ternarnim spojevima i oksidima studirani su prvenstveno
vlastiti defekti kristalne rešetke. Namjera je također bila postići i
održati nivo najviše kvalitete tih istraživanja, kako izborom
najaktuelnijih problema tako i originalnošću rješavanja tih problema.
Smatram da su ti ciljevi vrlo uspješno ostvareni: Uloga i svojstva niza
najzanimljivijih defekata su objašnjeni, te su neki od najaktuelnijih
problema defekata uspješno riješeni, ili je dan bitan znanstveni doprinos
u njihovom razumijevanju. Visoka kvaliteta postignutih rezultata
verificirana je objavljivanjem velikog broja radova u najkvalitetnijim
svjetskim časopisima.
SURADNJA - PROJEKTI
Naziv projekta
: 1-03-066 Vibracijski fenomeni i interakcije u
kondenziranoj materiji Naziv ustanove: Institut " Rudjer Bošković " Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
Naziv projekta
: 1-03-180 Istraživanje tankih poluvodičkih
filmova Naziv ustanove: Institut "Rudjer Bošković" Grad: 10000 - Zagreb, Hrvatska
SURADNJA - USTANOVE
Naziv ustanove
: Universita di Pavia Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Pavia, Italija
Naziv ustanove
: MEMS Electronic Materials Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Novara, Italija
Naziv ustanove
: CNR, Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Pavia, Italija
Naziv ustanove
: Universita di Modena Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Modena, Italija
Naziv ustanove
: Universita di Trento Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Trento, Italija
Naziv ustanove
: IRST Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Trento, Italija
Naziv ustanove
: Siemens Telecomunicazioni Tip ustanove: Državni institut Grad: Milano, Italija
Naziv ustanove
: Instituto MASCPEC_CNR Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Parma, Italija
Naziv ustanove
: Universite Louis Pasteur Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Strasbourg, Francuska
Naziv ustanove
: Universitat Konstanz Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Konstanz, Njemačka
Naziv ustanove
: Fraunhofer Institut Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Freiburg, Njemačka
Naziv ustanove
: Mobil Solar Energy Corp. Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Boston, USA
Naziv ustanove
: Oak Ridge National Laboratory Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Oak Ridge, USA
Naziv ustanove
: Cabot Corp. Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Billerica, MA, USA
Naziv ustanove
: University of Albany Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Albany, USA
Naziv ustanove
: ICTP Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Trst, Italija
Naziv ustanove
: CNRS Tip ustanove: Sveučilište/Fakultet Grad: Strasbourg, Francuska
Naziv ustanove
: niversite Montpellier II Tip ustanove: Gospodarstvena/Proizvodna Grad: Montpellier, Francuska Ostali podaci o projektu.